Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 531

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 534

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 537

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 540

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 544

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 548

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 552

Deprecated: Function split() is deprecated in /var/www/sites/asen/pcw/procedures/class.Add.php on line 367

Intel и Numonyx постигат пробив при технологията за фазова памет

Ново изследователско откритие полага основите на memory продукти с по-големи възможности, по-ниска консумация на енергия и по-голяма плътност на информацията.

29 октомври 2009
5621 прочитания
27 одобрения
0 неодобрения
Intel Corporation и Numonyx B.V. обявиха ключов революционен напредък в изследванията си на фазовата памет (PCM - phase change memory) - нова технология за непроменлива памет, която съчетава много от предимствата на днешните видове. PCM например позволява по-големи скорости на трансфер в сравнение с NOR / NAND флаш паметите, като освен това поддържа и значително повече цикли на презапис от тях.
Сега за първи път изследователите от Intel и Numonyx демонстрират 64Mb тестов чип, който дава възможност за акумулиране или добавяне (т.нар. stacking) на много слоеве PCM в една единствена матрица. Това развитие полага основите на създаването на високоскоростни устройства за памет с по-големи възможности, по-ниска консумация на енергия и максимално спестяване на пространство за памет с произволен достъп и приложения за съхранение на данни.

 

Първите Phase Change Memory чипове бяха демонстрирани по време на Intel Developer Forum'2006.

 

Постиженията са резултат от обща изследователска програма на Numonyx и Intel, която се фокусира върху изучаването на многопластови или акумулирани PCM клетки. В резултат на това сега изследователите на Intel и Numonyx могат да демонстрират вертикално интегрирани клетки памет, наречени PCM(S) (phase change memory and switch). PCM(S) се състои от един PCM елемент, върху който има слой от най-новия Ovonic Threshold Switch (OTS) от две фази. Способността да се наслагват или акумулират слоеве от PCM(S) прави стъпаловидната памет още по-наситена, като в същото време запазва характеристиките на производителността на PCM - предизвикателство, което става все по-трудно с традиционните технологии за памет.

"Резултатите са изключително обещаващи," коментира Грег Атууд, старши технологичен сътрудник в Numonyx. "Резултатите показват потенциал за по-голяма наситеност, повече възможности за надграждане и модели, подобни на NAND, за бъдещите PCM продукти. Това е важно, тъй като традиционните технологии за флаш памет имат някои физически ограничения и проблеми с надеждността, като в същото време не спират изискванията за увеличаване на паметта във всичко - от мобилните телефони до информационните центрове."

Повече информация за клетките PCM(S) памет, фазовия слой, експериментите и резултатите ще бъдат публикувани в съвместна студия със заглавие "Акумулирана двуфазова памет", която ще бъде представена на 2009 International Electron Devices Meeting в Балтимор на 9 декември 2009 г. Студията е написана от технолози от Intel и Numonyx и ще бъде представена от Дерчанг Кау, главен инженер в Intel.


27 одобрения
0 неодобрения
Още от рубрика "Наука"
КОМЕНТАРИ ОТ  
nnnn
13:11, 29 октомври 2009
1
одобрения: -2
Бай Иван
13:36, 29 октомври 2009
Абе навън не е топло, слънцето се показва рядко. Въпреки това имам чувството, че коментиращите тук са яко слънчасали
2
одобрения: 1
hahu
17:34, 29 октомври 2009
3
одобрения: -1
Трябва да сте регистриран потребител, за да коментирате статията
"Intel и Numonyx постигат пробив при технологията за фазова памет"



    

абонамент за бюлетина